JoVE Journal
Engineering
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content. Sign in or start your free trial.
Chapters
Summary
Please note that all translations are automatically generated.
Molekylær bjelke epitaxy brukes til å dyrke N-polare InAlN-barriere høy elektron-mobilitet transistorer (HEMTs). Kontroll av wafer forberedelse, lag vekstvilkår og epitaxial struktur fører til glatte, sammensetnings homogene InAlN lag og HEMTs med mobilitet så høyt som 1750 cm 2 / V ∙ sek.